为全面贯彻落实党的十九大和习近平总书记关于加强 关键核心技术攻关的重要讲话精神,按照省委十二届二次、 三次、四次全会和全省科技创新大会部署,落实《“十三五” 广东省科技创新规划(2016-2020 年)》等提出的任务,为 推动广东省新材料领域创新和产业化发展,启动实施“石墨 烯材料与碳纳米管材料应用”重点专项。
本重点专项目标是:面向创新广东战略目标,瞄准全球 技术和产业制高点,围绕广东产业发展需求,以高纯度、高 性能的石墨烯和碳纳米管材料工业化制备为基础,支持石墨烯和碳纳米管产业战略应用产品、应用技术、应用装备的开 发与产业化,推动石墨烯和碳纳米管材料体系的制备和应用 技术达到国际先进水平。
本重点专项设 4 个专题,每个专题支持 1 项,实施周期 为 3 年。申报时需按专题申报,研究内容必须涵盖该专题下所列的全部内容,项目完成时应完成该专题下所列所有考核指标。参研单位总数不得超过 10 个。鼓励以企业为主体, 大企业联合创新型中小企业,产学研合作申报。
专题业务咨询:张志彤,020-83163387
专题一:超高纯度米级单晶石墨烯的工业化制备和检测 (专题编号:0931)
研究内容:开发米级单晶石墨烯批量化制造的装备;制 备超高纯度单晶材料;开发大尺寸、快速检测石墨烯点(线) 缺陷的装备。
考核指标:开发米级单晶石墨烯批量化制造的装备,超 高纯度米级单晶石墨烯实现量产,每片单晶石墨烯尺寸达到 15 cm*15 cm,产能达到每年每台 10000 片;开发超高纯度 石墨烯制备技术,纯度达到 99.9999999%;开发米级单晶石墨烯缺陷检测技术,在 0.2 米*0.2 米范围内点(线)缺陷检测能力达到 1 个(条)/微米;在 Nature、Science 系列或 本领域顶级刊物发表论文 1-2 篇,申请国家发明专利 10 项 以上。
支持方式与强度:采用竞争性评审、无偿资助方式;本 专题研发经费省财政资助部分不超过 1000 万元,具体资助 额度根据预算财务评审确定。
专题二:高性能单壁碳纳米管薄膜的批量化制备及其柔 性电子器件研制(专题编号:0932)
研究内容:开发宽度为米级、长度不受限的高性能单壁 碳纳米管薄膜的批量化制备装置;利用所得薄膜,研制高性能单壁碳纳米管柔性透明电极、大面积单壁碳纳米管柔性 AMOLED 显示屏、柔性单壁碳纳米管光电传感记忆系统。
技术指标:单壁碳纳米管薄膜的宽度达到米级(50cm)、 长度不受限,单根碳纳米管的平均长度不小于 10 微米,拉 曼光谱 IG/Id>100;研发出具有自主知识产权的连续化制备 装置;单壁碳纳米管薄膜实现量产,在 550nm 波长、90%透 光率条件下,单壁碳纳米管薄膜的方块电阻小于 40 欧姆; 研制出基于单壁碳纳米管的 320×320 像素柔性 AMOLED 显示 屏,像素良率大于 99.9%,在 0.5%应变条件下可正常工作; 薄膜晶体管的电流开关比达到 106 ,载流子迁移率大于 30 cm 2 /Vs,阈值电压小于 3V,以上器件性能参数标准差小于 5%; 建立柔性 32×32 碳纳米管光电传感记忆阵列系统,电流开 关比达到 105 ,响应速度小于 10 ms,在 1s 紫外光照射下电 流变化响应度达到 100,器件具有好的耐久特性和保持特性, 光电信号存储时间大于 10 年;申请国家发明专利 5 项以上。
支持方式与强度:采用竞争性评审、无偿资助方式;本 专题研发经费省财政资助部分不超过 1000 万元,具体资助 额度根据预算财务评审确定。
专题三:石墨烯/碳纳米管高性能导热复合材料(专题 编号:0933)
研究内容:通过开展碳纳米和管/聚酰亚胺纳米级分散 与复合技术及其化学亚胺化的催化和双向拉伸等技术攻关, 破解聚酰亚胺薄膜的高温化学及其杂化轨道转化机理,研发导热膜卷材连续化生产及其与金属材料的无胶复合技术,突 破原材料、碳化石墨化设备、无胶系与金属复合材料等技术 瓶颈,开发出具有高导热系数的石墨烯/碳纳米管复合导热 膜卷材、下一代热管理新型模组,并应用于高性能电子产品。
考核指标:导热复合材料的导热系数:水平方向大于 1800 W/m·K,垂直方向大于 20 W/m·K;最高耐热温度大于 400℃;水平方向抗拉强度大于 30 MPa 以上;导电率大于 20000(S/cm);弯曲测试 20000 次以上(R5/180o );制备 出面积大于 20 平方米的碳纳米管聚酰亚胺复合薄膜,面积大于 10 平方米的高端石墨烯/碳纳米管复合散热膜卷材;面 积大于 10 平方米的高端石墨烯/碳纳米管复合散热膜与金属 的无胶复合卷材, 开发出不少于 2 项新产品或新材料, 申请 国家/国际发明专利 10 项以上。
支持方式与强度:采用竞争性评审、无偿资助方式;本 专题研发经费省财政资助部分不超过 1000 万元,具体资助 额度根据预算财务评审确定。
专题四:碳纳米管印刷 TFT 技术及其应用(专题编号: 0934)
研究内容:高纯度半导体碳纳米管墨水的制备;碳纳米 管 TFT 器件的印刷工艺;基于碳纳米管印刷 TFT 的传感器界 面集成电路;基于碳纳米管印刷 TFT 的显示驱动集成电路。
考核指标:碳纳米管印刷 TFT 实现量产。碳纳米管墨水 的半导体纯度优于 99.99%,开发出(6,5)手性富集的半导体碳纳米管墨水。印刷工艺制备出的碳纳米管 TFT 的迁移率 超过 40cm2 /Vs,开关比>106,开态电流密度>1μA/μm。研制出基于碳纳米管印刷 TFT 的 CMOS 集成电路,工作电压 2V, 单级门延时 10ns,并实现处理能力超过 64×64 节点的传感 器界面电路,对传感器信号进行采集和处理。实现基于碳纳 米管印刷 TFT 的集成电路,工作电压 5 至 10V,并实现驱动能力超过 320×240 像素点的 LCD 或 OLED 显示驱动电路,实 现像素点的快速精确控制。
支持方式与强度:采用竞争性评审、无偿资助方式;本 专题研发经费省财政资助部分不超过 1000 万元,具体资助 额度根据预算财务评审确定。