为全面贯彻落实党的十九大和习近平总书记关于加强 关键核心技术攻关的重要讲话精神，按照省委十二届二次、 三次、四次全会和全省科技创新大会部署，落实《“十三五” 广东省科技创新规划（2016-2020 年）》等提出的任务，为 推动广东省新材料领域创新和产业化发展，启动实施“石墨 烯材料与碳纳米管材料应用”重点专项。
本重点专项目标是：面向创新广东战略目标，瞄准全球 技术和产业制高点，围绕广东产业发展需求，以高纯度、高 性能的石墨烯和碳纳米管材料工业化制备为基础，支持石墨烯和碳纳米管产业战略应用产品、应用技术、应用装备的开 发与产业化，推动石墨烯和碳纳米管材料体系的制备和应用 技术达到国际先进水平。
本重点专项设 4 个专题，每个专题支持 1 项，实施周期 为 3 年。申报时需按专题申报，研究内容必须涵盖该专题下所列的全部内容，项目完成时应完成该专题下所列所有考核指标。参研单位总数不得超过 10 个。鼓励以企业为主体， 大企业联合创新型中小企业，产学研合作申报。
专题业务咨询：张志彤，020-83163387
专题一：超高纯度米级单晶石墨烯的工业化制备和检测 （专题编号：0931）
研究内容：开发米级单晶石墨烯批量化制造的装备；制 备超高纯度单晶材料；开发大尺寸、快速检测石墨烯点（线） 缺陷的装备。
考核指标:开发米级单晶石墨烯批量化制造的装备,超 高纯度米级单晶石墨烯实现量产，每片单晶石墨烯尺寸达到 15 cm*15 cm，产能达到每年每台 10000 片；开发超高纯度 石墨烯制备技术，纯度达到 99.9999999%；开发米级单晶石墨烯缺陷检测技术，在 0.2 米*0.2 米范围内点（线）缺陷检测能力达到 1 个（条）/微米；在 Nature、Science 系列或 本领域顶级刊物发表论文 1-2 篇，申请国家发明专利 10 项 以上。
支持方式与强度：采用竞争性评审、无偿资助方式；本 专题研发经费省财政资助部分不超过 1000 万元，具体资助 额度根据预算财务评审确定。
专题二：高性能单壁碳纳米管薄膜的批量化制备及其柔 性电子器件研制（专题编号：0932）
研究内容:开发宽度为米级、长度不受限的高性能单壁 碳纳米管薄膜的批量化制备装置；利用所得薄膜，研制高性能单壁碳纳米管柔性透明电极、大面积单壁碳纳米管柔性 AMOLED 显示屏、柔性单壁碳纳米管光电传感记忆系统。
技术指标:单壁碳纳米管薄膜的宽度达到米级（50cm）、 长度不受限，单根碳纳米管的平均长度不小于 10 微米，拉 曼光谱 IG/Id>100;研发出具有自主知识产权的连续化制备 装置；单壁碳纳米管薄膜实现量产，在 550nm 波长、90%透 光率条件下，单壁碳纳米管薄膜的方块电阻小于 40 欧姆； 研制出基于单壁碳纳米管的 320×320 像素柔性 AMOLED 显示 屏，像素良率大于 99.9%，在 0.5%应变条件下可正常工作； 薄膜晶体管的电流开关比达到 106 ,载流子迁移率大于 30 cm 2 /Vs，阈值电压小于 3V，以上器件性能参数标准差小于 5%； 建立柔性 32×32 碳纳米管光电传感记忆阵列系统，电流开 关比达到 105 ，响应速度小于 10 ms，在 1s 紫外光照射下电 流变化响应度达到 100，器件具有好的耐久特性和保持特性， 光电信号存储时间大于 10 年；申请国家发明专利 5 项以上。
支持方式与强度：采用竞争性评审、无偿资助方式；本 专题研发经费省财政资助部分不超过 1000 万元，具体资助 额度根据预算财务评审确定。
专题三：石墨烯/碳纳米管高性能导热复合材料（专题 编号：0933）
研究内容:通过开展碳纳米和管/聚酰亚胺纳米级分散 与复合技术及其化学亚胺化的催化和双向拉伸等技术攻关， 破解聚酰亚胺薄膜的高温化学及其杂化轨道转化机理，研发导热膜卷材连续化生产及其与金属材料的无胶复合技术，突 破原材料、碳化石墨化设备、无胶系与金属复合材料等技术 瓶颈，开发出具有高导热系数的石墨烯/碳纳米管复合导热 膜卷材、下一代热管理新型模组，并应用于高性能电子产品。
考核指标：导热复合材料的导热系数：水平方向大于 1800 W/m·K，垂直方向大于 20 W/m·K；最高耐热温度大于 400℃；水平方向抗拉强度大于 30 MPa 以上；导电率大于 20000（S/cm）；弯曲测试 20000 次以上（R5/180o ）；制备 出面积大于 20 平方米的碳纳米管聚酰亚胺复合薄膜，面积大于 10 平方米的高端石墨烯/碳纳米管复合散热膜卷材；面 积大于 10 平方米的高端石墨烯/碳纳米管复合散热膜与金属 的无胶复合卷材, 开发出不少于 2 项新产品或新材料, 申请 国家/国际发明专利 10 项以上。
支持方式与强度：采用竞争性评审、无偿资助方式；本 专题研发经费省财政资助部分不超过 1000 万元，具体资助 额度根据预算财务评审确定。
专题四：碳纳米管印刷 TFT 技术及其应用（专题编号： 0934）
研究内容：高纯度半导体碳纳米管墨水的制备；碳纳米 管 TFT 器件的印刷工艺；基于碳纳米管印刷 TFT 的传感器界 面集成电路；基于碳纳米管印刷 TFT 的显示驱动集成电路。
考核指标：碳纳米管印刷 TFT 实现量产。碳纳米管墨水 的半导体纯度优于 99.99%，开发出（6，5）手性富集的半导体碳纳米管墨水。印刷工艺制备出的碳纳米管 TFT 的迁移率 超过 40cm2 /Vs，开关比>106,开态电流密度>1μA/μm。研制出基于碳纳米管印刷 TFT 的 CMOS 集成电路，工作电压 2V， 单级门延时 10ns，并实现处理能力超过 64×64 节点的传感 器界面电路，对传感器信号进行采集和处理。实现基于碳纳 米管印刷 TFT 的集成电路，工作电压 5 至 10V，并实现驱动能力超过 320×240 像素点的 LCD 或 OLED 显示驱动电路，实 现像素点的快速精确控制。
支持方式与强度：采用竞争性评审、无偿资助方式；本 专题研发经费省财政资助部分不超过 1000 万元，具体资助 额度根据预算财务评审确定。
