场效应晶体管（FET）因其典型的三端结构、工作原理和制备方法成为一种新型的多参数、高灵敏度、便携式生化检测平台。尽管，目前通过光刻技术构建的FET已经成熟地应用在各种电子器件中，但是大多数FET器件的电极与半导体层之间是通过物理沉积技术这种弱相互作用而连接的， 其结构在多步处理过程中容易破损，从而加剧了电信号输出的不稳定性。另一方面，传统FET的电极材料非常有限，大部分是贵金属，其带来的高价格也是一个亟待解决的问题。因此，如何在保持FET器件高稳定性的同时，使其易于制造且成本低廉，仍是一个艰巨的挑战。
       近日，济南大学刘宏教授和张丛丛博士利用还原氧化石墨烯（RGO）易于化学改性以及在不同的组装方式下其电学性能不同的突出优点，引入了（3-氨基丙基）三甲氧基硅烷（APTMS）和5,10,15,20-四（4-氨苯基）-21H，23H-卟啉（TAPP）两种结构及电学性能不同的偶联剂，通过简单的溶液处理技术和一步还原法，制造了两种智能碳材料从而构筑了一种超稳定的全石墨烯FET（AG-FET）。
       通过共价构型和偶联剂的功能多样性，该方法获得的AG-FET具有较高的电学特性，其空穴迁移率、电子迁移率和保质期分别可达到3.79 cm2/（V·s）、3.78 cm2/（V·s）和18个月。此外，良好的材料稳定性和优异的器件结构赋予器件良好的电气及溶剂稳定性，提高了其在溶液相传感/检测中的应用前景。这些特征使其可以用来感知、传导和响应外界刺激，特别是监测溶液相重要的分析物，如Hg2+。我们相信，这种具有高稳定性的、价格低廉、易于制造的AG-FET也可在其他重要领域显示出广阔的应用前景。